三星开始量产第9代V-NAND2024年下半年3.2Gbps QLC速度提升33%

这一消息或多或少是在意料之中的，因为几周前我们曾报道过第9代V-NAND闪存已开始量产。首先，TCLNAND将于本月开始量产，QLC预计下半年量产。另据报道，第9代V-NAND将具有290多个层，但三星官方并未证实这一点。

新闻稿：全球先进存储技术领导者三星电子今天宣布，其1太比特(Tb)单元(TLC)第九代垂直NAND(V-NAND)已开始量产，巩固了其NAND闪存市场的领导地位。

凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模具，三星将第9代V-NAND的位密度比第8代V-NAND提高了约50%。避免单元干扰和延长单元寿命等创新技术已应用于提高产品质量和可靠性，同时消除虚拟通道孔显着减小了存储单元的平面面积。

此外，三星先进的“通道孔蚀刻”技术展示了该公司在工艺能力方面的领先地位。该技术通过堆叠模具层创建电子通道，并最大限度地提高制造生产率，因为它能够在双层结构中同时钻孔业界最高的单元层数。随着细胞层数的增加，穿透更多细胞的能力变得至关重要，这就需要更复杂的蚀刻技术。

第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到每秒3.2吉比特(Gbps)。除了这个新接口之外，三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能SSD市场的地位。

与上一代相比，通过低功耗设计的进步，功耗也降低了10%。随着减少能源使用和碳排放对客户变得至关重要，三星的第9代V-NAND预计将成为未来应用的最佳解决方案。三星已于本月开始量产1TbTLC第9代V-NAND，随后将于今年下半年量产四级单元(QLC)型号。