去年12月,荷兰科技公司ASML向英特尔交付了第一台第二代极紫外光刻(EUV)机器。ASML是世界上唯一一家生产EUV机器的公司,该机器可以在硅晶圆上蚀刻复杂的电路图案,以帮助代工厂将数十亿个晶体管正确放置在驱动智能手机的小型组内。第二代High-NAEUV机器的孔径为0.55,相当于8nm的分辨率。第一代EUV机器的孔径为0.33,相当于13nm的分辨率。
通过将更高分辨率的图案转移到晶圆上,铸造厂可能无需再次通过EUV运行晶圆来打印所需的细节,从而节省了铸造厂的时间和金钱。在ASML发布最新收益报告后的电话会议上,ASML首席商务官ChristopheFouquet表示:“对于High-NA(即0.55NAEUV),我们向客户交付了第一个系统,该系统目前正在安装中。我们开始本月交付第二个系统,安装也即将开始。”
第二台要发货的高数值孔径EUV的接收者尚不清楚。全球最大的代工厂台积电可能不是最新订购的高数值孔径EUV的未透露姓名的买家。铸造厂有时必须购买一台,但现在似乎没有兴趣购买。与此同时,据信ASML正在开发数值孔径高于0.7的第三代Hyper-NAEUV。
英特尔正在安装TwinscanEXE:5000High-NAEUV,该公司花费了约4亿美元。英特尔将在开始生产采用英特尔14A工艺节点的时开始使用该机器。通过在安装和使用机器方面取得先机,英特尔可能会在即将到来的三星代工、台积电和英特尔之间争夺工艺领先地位的三路争夺中占据优势。英特尔的14A工艺节点相当于台积电和三星的1.4纳米工艺节点,预计将于2027年某个时候投入量产,大约与台积电和三星代工开始1.4纳米生产的时间相同。
当工艺节点减少时,这些所使用的晶体管的尺寸也会减少。这意味着这些组件中可以安装更多的晶体管,并且的晶体管数量越多,的功能就越强大和/或节能。这就是高数值孔径EUV如此重要的原因。随着工艺节点缩小,内部安装了更多晶体管,蚀刻在硅晶圆上的电路图案需要使用更精细的分辨率来制作,以便将数十亿个晶体管塞进这些组件内部。
ASML的Fouquet表示:“客户对我们的[高NA]系统实验室兴趣很高,因为该系统将帮助我们的逻辑和内存客户为将高NA插入他们的路线图做好准备。相对于0.33NA,0.55NA系统提供了更精细的分辨率使晶体管密度增加了近3倍,而生产率却相似,支持低于2纳米的逻辑和低于10纳米的DRAM节点。”