新传闻揭示了高通Snapdragon8Gen4的功耗

新的传闻强调了Snapdragon8Gen4的功耗。当应用全核负载时，SoC的功耗据称会飙升至14.2瓦，远远超过Snapdragon8Gen3的12.7瓦。

既然适用于Galaxy的Snapdragon8Gen3和Snapdragon8Gen3已经发布，那么现在是时候关注高通今年晚些时候为我们准备的产品了：Snapdragon8Gen4(SM8750)。到目前为止，泄露的信息显示它将配备6个PhoenixL和2个PhoenixMCPU内核。高通公司内部代号为Sun，如果有关其功耗的一些传言属实的话，那么这是理所当然的。

韩国科技论坛DCInside上的一篇帖子称，其高性能核心之一的功耗高达5.47瓦。两个核心的总功率高达9.32瓦。这些是高通公司的新Nuvia(可能是PhoenixL)内核，而不是现成的ArmCortex变体。同样，PhoenixM核心在受压时会消耗1.1瓦的功率。在全核心工作负载中，Snapdragon8Gen4的功耗高达14.2瓦。

这些数字是在早期的Snapdragon8Gen4工程样本上测得的，在发布前的几个月内可能会发生变化。14瓦对于智能手机的外形尺寸来说有点太热了，需要强大的冷却解决方案来控制热量。再加上台积电N3E工艺提高的晶体管密度，应该会给Snapdragon8Gen4带来与MediaTekDimensity9400和基于三星3GAP的Exynos2500相比所需的竞争优势。